IRF530N (аналог GT1081 ) Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]

The IRF530NPBF from Infineon is a 100V single N channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on-resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and is fully avalanche rated. As a result, these power MOSFETs are known to provide extreme efficiency and reliability which can be used in a wide variety of applications. Drain to source voltage Vds is 100V Gate to source voltage is 20V On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V Power dissipation Pd of 70W at 25 C Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25 C Operating junction temperature range from -55 C to 175 C Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 ом при 9a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70 Крутизна характеристики, S 12 Корпус to220ab Особенности аудиоприложения Пороговое напряжение на затворе 4 Вес, г 2.5

Теги: IRF530N (аналог GT1081 ) Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB], AE, Транзисторы