FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, 9.4 А, 60 В, 0.15 Ом, 10 В, 4 В

Технические параметры Максимальная Рабочая Температура 150 C Количество Выводов 3вывод(-ов) Стиль Корпуса Транзистора TO-252 Рассеиваемая Мощность 2.5Вт Полярность Транзистора P Канал Напряжение Истока-стока Vds 60В Непрерывный Ток Стока 9.4А Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.15Ом Напряжение Измерения Rds(on) 10В Пороговое Напряжение Vgs 4В Линейка Продукции QFET Series Максимальная рабочая температура +150 C Максимальный непрерывный ток стока 9,4 А Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 2.5 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.1мм Высота 2.3мм Размеры 6.6 x 6.1 x 2.3мм Материал транзистора SI Количество элементов на ИС 1 Длина 6.6мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 6,5 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 15 нс Минимальная рабочая температура -55 C Minimum Gate Threshold Voltage 2V Максимальное сопротивление сток-исток 185 м? Максимальное напряжение сток-исток 60 В Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 13 нКл при 10 В Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 420 пФ при 25 В Тип канала P Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V Вес, г 1.512

Теги: FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, 9.4 А, 60 В, 0.15 Ом, 10 В, 4 В, AE, Транзисторы