0
в наличии
Код товара: МОП-транзистор 2SK3113B N-channel 2A/600V MOSFET field effect tu
12486, МОП-транзистор 2SK3113B N-channel 2A/600V MOSFET field effect tube TO-252, G1.21.8, 300 р, МОП-транзистор 2SK3113B N-channel 2A/600V MOSFET field effect tu, AE, Транзисторы..
300 р
![IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3970-0-228x228.jpg "IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]")
0
в наличии
Код товара: IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]
МОП-транзистор 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio Технические параметры Структура n-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.056 ом при 5.6a, 10в Вес, г 2..
270 р
0
в наличии
Код товара: 2SK1507 TO-220F 600V 9A N-Channel Silicon Power Mos-fet(F-II Ser
10547, 2SK1507 TO-220F 600V 9A N-Channel Silicon Power Mos-fet(F-II Series), , 450 р, 2SK1507 TO-220F 600V 9A N-Channel Silicon Power Mos-fet(F-II Ser, AE, Транзисторы..
450 р
0
в наличии
Код товара: КТ829А, Транзистор NPN, усилительный
8352, КТ829А, Транзистор NPN, усилительный, 7.71.4, 150 р, КТ829А, Транзистор NPN, усилительный, El-com, Транзисторы..
150 р
0
в наличии
Код товара: Транзистор 2SK3113 N-channel DMOSFET TO-251 600 в 2A
DESCRIPTIONThe 2SK3113 is N-channel DMOSFET device that features a low gate charge and excellent switching characteristic, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. FEATURES Low on-state resistanceRDS(on)..
200 р
Заканчивается
![AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3643-0-228x228.jpg "AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]")
0
в наличии
Код товара: AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0
Технические параметры Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.9/-6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси ..
150 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: Транзистор B1421
12383, Транзистор B1421, L1.26.7, 80 р, Транзистор B1421, ООО Эл-ком, Транзисторы..
80 р
Заканчивается
![STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3660-0-228x228.jpg "STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]")
0
в наличии
Код товара: STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт,
Описание IGBT Discretes, STMicroelectronics Технические параметры Технология/семейство trench and fieldstop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25 C, A 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А 24..
750 р
0
AMS1117-3.3V (11174) LM1117 Линейный стабилизатор регулятор с малым падением напряжения, 800мА, 3.3В
в наличии
Код товара: AMS1117-3.3V (11174) LM1117 Линейный стабилизатор регулятор с ма
9483, AMS1117-3.3V (11174) LM1117 Линейный стабилизатор регулятор с малым падением напряжения, 800мА, 3.3В, , 300 р, AMS1117-3.3V (11174) LM1117 Линейный стабилизатор регулятор с ма, AE, Транзисторы..
300 р
![IRFZ34N Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/1974-0-228x228.jpg "IRFZ34N Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]")
0
в наличии
Код товара: IRFZ34N Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]
The IRFZ34NPBF is a 55V single N-channel HEXFET Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. 175 C Operating temperature Dynamic dV/dt rating Fully avalanc..
150 р
![AO3407A, A79T Транзистор, MOSFET, P-канальный, 30 В, 4.3 A, [SOT-23-3]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3434-0-228x228.jpg "AO3407A, A79T Транзистор, MOSFET, P-канальный, 30 В, 4.3 A, [SOT-23-3]")
0
в наличии
Код товара: AO3407A, A79T Транзистор, MOSFET, P-канальный, 30 В, 4.3 A, [SOT
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.048 ..
30 р
![SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3301-0-228x228.jpg "SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.5 А, 120 hFE, [TO-92]")
0
в наличии
Код товара: SS8550CBU, Биполярный транзистор, PNP, -25 В, 200 МГц, 1 Вт, -1.
Small Signal PNP Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо..
30 р
0
в наличии
Код товара: Биполярный транзистор 2T837A
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V Макcимально допустимое напряжение эмитте..
330 р
![SPD06N80C3, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3300-0-228x228.jpg "SPD06N80C3, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]")
0
в наличии
Код товара: SPD06N80C3, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]
MOSFET, N CHANNEL, 800V, 6A, TO-252, Transistor Polarity: N Channel, Continuous Drain Current Id: 6A, Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25 C, без учета ограничений корпуса ..
230 р
0
в наличии
Код товара: KTB1367 биполярный низкочастотный транзистор pnp 100V 5A 30W
биполярный низкочастотный транзистор pnp 100V 5A 30W..
230 р
0
в наличии
Код товара: Транзистор MDP4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Макси..
200 р
![STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3450-0-228x228.jpg "STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]")
0
в наличии
Код товара: STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 1
N-Channel STripFET , STMicroelectronics Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 16 Сопротивление к..
80 р
![IRF1405PBF, Транзистор, N-канал 55В 133А авто [TO-220AB]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3439-0-228x228.jpg "IRF1405PBF, Транзистор, N-канал 55В 133А авто [TO-220AB]")
0
в наличии
Код товара: IRF1405PBF, Транзистор, N-канал 55В 133А авто [TO-220AB]
Транзистор, N-канал 55В 133А авто [TO-220AB] Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 169 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивл..
210 р
![2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic-8А, Vceo-120В, Vcbo-120В, Pd-80Вт [TO-3PN]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3745-0-228x228.jpg "2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic-8А, Vceo-120В, Vcbo-120В, Pd-80Вт [TO-3PN]")
0
в наличии
Код товара: 2SD718, Транзистор биполярный, NPN, Ic-8А, Vceo-120В, Vcbo-120В,
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический..
600 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: SSH5N90 транзистор MOSFET N-канальный 900V 5A
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V ..
1 050 р
![TIP137, Транзистор, PNP Darlington, 100В, 8А, 70Вт, [TO-220]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/707-0-228x228.jpg "TIP137, Транзистор, PNP Darlington, 100В, 8А, 70Вт, [TO-220]")
0
в наличии
Код товара: TIP137, Транзистор, PNP Darlington, 100В, 8А, 70Вт, [TO-220]
8345, TIP137, Транзистор, PNP Darlington, 100В, 8А, 70Вт, [TO-220], , 150 р, TIP137, Транзистор, PNP Darlington, 100В, 8А, 70Вт, [TO-220], El-com, Транзисторы..
150 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: G4PSC71UD
8342, G4PSC71UD, , 750 р, G4PSC71UD, El-com, Транзисторы..
750 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: 2SB1438R транзистор P-N-P,lo-sat,100V,2A,1W,90MHz,3-SIP/SC-71,B1
Биполярный транзистор 2SB1438-R, (-)100V, (-)2A, 1W, P-N-P Корпус (MT-2-1A), Производитель Panasoniс Тип транзистора Биполярный Тип биполярного транзистора P-N-P Материал корпуса Пластик Тип монтажа Под пайку..
300 р
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/1643-0-228x228.jpg "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]")
0
в наличии
Код товара: GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [T
9145, GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN], 7.7.1, 1050 р, GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [T, El-com, Транзисторы..
1 050 р
0
в наличии
Код товара: BC327-25 Транзистор PNP 45B 0.5A BC32725BU
Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8 Статич..
30 р
![IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3974-0-228x228.jpg "IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]")
0
в наличии
Код товара: IRF9540NPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [TO-220AB]
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. ..
150 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: 2SJ6920A Транзистор NPN Макс. напряжение (Uкэ), 800В, Макс. то
Корпус TO3PF Структура NPN Макс. напряжение (Uкэ), В 800 Макс. ток (Iк), А 20 Коэф. усиления (h21э) 6 Макс. частота (fгр), МГц 75 Артикул 1277..
300 р
0
в наличии
Код товара: 2SA992 Транзистор биполярный 120V 0.05A 0.5W PNP
Транзистор 2SA992 биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора транзисторы: SK3932, NTE91...
100 р
0
в наличии
Код товара: Транзистор KTA1663-Y KTA1663Y KTA1663: HY SOT-89
10210, Транзистор KTA1663-Y KTA1663Y KTA1663: HY SOT-89, 1.4.1.3, 150 р, Транзистор KTA1663-Y KTA1663Y KTA1663: HY SOT-89, AE, Транзисторы..
150 р
![STF24NM60N TO-220F Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3081-0-228x228.jpg "STF24NM60N TO-220F Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]")
0
в наличии
Код товара: STF24NM60N TO-220F Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP]
10543, STF24NM60N TO-220F Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP], , 600 р, STF24NM60N TO-220F Транзистор MOSFET N-CH 600В 17А [TO-220FP], AE, Транзисторы..
600 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: IRF540N - N-канальный МОП-транзистор
8343, IRF540N - N-канальный МОП-транзистор , , 150 р, IRF540N - N-канальный МОП-транзистор , El-com, Транзисторы..
150 р
![IRF510 Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/2828-0-228x228.jpg "IRF510 Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]")
0
в наличии
Код товара: IRF510 Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB]
10294, IRF510 Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB], , 150 р, IRF510 Транзистор, N-канал 100В 5.6А [TO-220AB], AE, Транзисторы..
150 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: FGA90N33 TO-3PN, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 90 А, 223 Вт..
1 350 р
![2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3305-0-228x228.jpg "2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]")
0
в наличии
Код товара: 2SK3878(F), Транзистор N-канал 900В 9А [TO-3P]
2SK3878(F) является 900В N-канальным полевым транзистором для приложений переключения. Низкое сопротивление во включенном состоянии на сток-исток Высокий уровень допуска прямой передачи Очень маленький ток утечки Режим обогащения Нап..
380 р
0
в наличии
Код товара: Транзистор GO4N60
12883, Транзистор GO4N60, L1.24.3, 378 р, Транзистор GO4N60, ООО Эл-ком, Транзисторы..
378 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: ST2310FX (MD2310FX, 2310HI) транзистор NPN,600V, 12A, 65W
Корпус TO-3PF Вес 9 г NPN,600V, 12A, 65W..
450 р
0
в наличии
Код товара: S8050, Транзистор: NPN; биполярный; 25В; 500мА; 300мВт; SOT23
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эми..
50 р
0
в наличии
Код товара: Транзистор IXFP76N15T2 76n15 Mosfet 150v 76a To220
Производитель IXYS Тип транзистора N-MOSFET Полярность полевой Напряжение сток-исток 150В Ток стока 76А Рассеиваемая мощность 350Вт Корпус TO220AB Сопротивление в открытом состоянии 22мОм ..
550 р
![ранзистор биполярный, 2SC3835 TO-3P C3835 ТNPN, Ic-7А, Vceo-120В, Vcbo-200В, Pd-70Вт , hFE- 70220 [TO-3PN]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/2885-0-228x228.JPG "ранзистор биполярный, 2SC3835 TO-3P C3835 ТNPN, Ic-7А, Vceo-120В, Vcbo-200В, Pd-70Вт , hFE- 70220 [TO-3PN]")
0
в наличии
Код товара: ранзистор биполярный, 2SC3835 TO-3P C3835 ТNPN, Ic-7А, Vceo-120
10350, ранзистор биполярный, 2SC3835 TO-3P C3835 ТNPN, Ic-7А, Vceo-120В, Vcbo-200В, Pd-70Вт , hFE- 70220 [TO-3PN], 1.3.2.1, 300 р, ранзистор биполярный, 2SC3835 TO-3P C3835 ТNPN, Ic-7А, Vceo-120, AE, Транзисторы..
300 р
![FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/4201-0-228x228.jpg "FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]")
0
в наличии
Код товара: FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
Описание FDS8958A_F085 - это усовершенствованный процесс PowerTrench для MOSFET с двумя N / P-каналами. Он был специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии при сохранении превосходных характеристик переключения. Устройст..
150 р
0
в наличии
Код товара: rjp30h1 TO-220F 30h1 к-220
9409, rjp30h1 TO-220F 30h1 к-220, , 150 р, rjp30h1 TO-220F 30h1 к-220, El-com, Транзисторы..
150 р
0
в наличии
Код товара: SPW32N50C3 32N50C3 Cool MOS Power Transistor полеой 560V 35 A
7.66.1..
600 р
![2SC1815GR, Транзистор NPN биполярный 50В 0.15А [TO-92]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/5056-0-228x228.jpg "2SC1815GR, Транзистор NPN биполярный 50В 0.15А [TO-92]")
0
в наличии
Код товара: 2SC1815GR, Транзистор NPN биполярный 50В 0.15А [TO-92]
Технические параметры Структура npn ? Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 ? Максимально допустимый ток к..
40 р
0
в наличии
Код товара: SPW32N50C3 32N50C3 Cool MOS Power Transistor полеой 560V 35 A
600 р
![SPW17N80C3, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]](https://surgutzapchast.ru/image/cache/catalog/3750-0-228x228.jpg "SPW17N80C3, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]")
0
в наличии
Код товара: SPW17N80C3, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247]
Infineon CoolMOS C3 Power MOSFET Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30 Сопротивление канала ..
1 350 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: 3DD2901 биполярный транзистор 1500V 8A
Наименование производителя: 3DD2901 Маркировка: D2901 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эми..
127 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: 2SD209A Биполярный транзистор NPN 700V 12A TO-3P
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эми..
600 р
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: Транзистор RF1051
12401, Транзистор RF1051, L1,26,25, 80 р, Транзистор RF1051, ООО Эл-ком, Транзисторы..
80 р