Популярный
0
в наличии
Код товара: KLMBG2JETD-B041 микросхема флеш памяти 32 ГБ Samsung BGA153 eM
Предмет номер. KLMBG2JETD-B041 Версия EMMC 5.1 Плотность 16 ГИГАБАЙТ Напряжение 1,8 / 3,3 В Интерфейс HS400 Темп. От -40 до 85 Разъем BGA153 Размер 11,5 х 13 х 0,8 см CID 150100424A5444345203516B58E61827 (Samsung BJTD4R, SN 0x516B58E6 (1365989606), ..
1 800 р
Популярный
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: Флэш-память EMMC SDINBDA4-32G 153FBGA 5,1 32GB SDINBDA4 Sandisk
CID 450100444134303332016CB5450E665D (Sandisk DA4032, SN 0x6CB5450E (1823819022), Июн 2019)CSD D00F00328F5903FFFFFFFFEF8A404023Ревизия устройства [192] 0x08 (MMC v5.1)Тип устройства [196] 0x57 (SDR HS52, HS200, HS400)Классы команд 0x8F5 (Class 0, 2, ..
1 500 р
Популярный
0
в наличии
Код товара: Микросхема памяти eMMC BGA KLMAG1JENB-B041 16Gbit
Memory для Samsung Sony и др. устройств LOG: CID 150100414A4E4234520D4D70ECE99347 (Samsung AJNB4R, SN 0x4D70ECE9 (1299246313), Сен 2016)CSD D02701320F5903FFF6DBFFEF8E40400DРевизия устройства [192] 0x08 (MMC v5.1)Тип устройства [196] 0x57 (SDR HS52,..
1 800 р
Популярный
0
в наличии
Код товара: SDIN8DE4-64G EMMC NAND FLASH SANDISK BGA153 64 ГБ
CID 45010053454D3634471203AD1E8FD1E1 (Sandisk SEM64G, SN 0x03AD1E8F (61677199), Ошб 2014)CSD D00F00320F5903FFFFFFFFFF8A40407FРевизия устройства [192] 0x06 (MMC v4.5, v4.51)Тип устройства [196] 0x17 (SDR HS52, HS200)Классы команд 0xF5 (Class 0, 2, 4, ..
2 100 р
Популярный
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: IC FL256SAIF01 флэш-памяти 256 м SPI 133MHZ 16soic S25FL256SAGMF
флэш-памяти 256 м SPI 133MHZ 16soic S25FL256SAGMFI010..
250 р
0
в наличии
Код товара: Память NAND флэш K9GAG08UOE-scbo tsop48 16 гб
Напряжение питания - Устройство 3,3 В: 2,7 В ~ 3,6 В Организация - Массив ячеек памяти: (2076M x 110,49K) x 8 бит - Регистр данных: (8K + 436) x 8 бит Автоматическая программа и стирание - Программа страницы: (8K + 436) байт - Стирание блока: (..
1 000 р
0
в наличии
Код товара: 25Q64FVA1G (25Q64BVA1G) флэш-память, SPI, 64МБи DIP8
400 р
0
в наличии
Код товара: THGBMJG6C1LBAIL 8G флэш-память BGA153 eMMC 8GB eMMC 5.1 2D 15nm
CID 110100303038474230006BA611432745 (Toshiba 008GB0, SN 0x6BA61143 (1806045507), Фев 2020)CSD D02700328F5903FFFFFFFFE7864000A7Ревизия устройства [192] 0x08 (MMC v5.1)Тип устройства [196] 0x57 (SDR HS52, HS200, HS400)Классы команд 0x8F5 (Class 0, 2, ..
1 500 р
0
в наличии
Код товара: Микросхема памяти TC58BVG0S3HTA00 TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 1GBIT
Производитель Toshiba Серия Benand Тип памяти EEPROM - NAND Format - Memory EEPROMs - Serial Размер памяти 1G (128M x 8) Скорость 25ns Интерфейс Parallel Напряжение питания 2.7 V ~ 3.6 V Корпус 48-TFSOP (0.7..
1 000 р
0
в наличии
Код товара: GD25Q64BSIG 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
Производитель: Gigadevice Код: GD25Q64BSIG Маркировка: 25Q64BSIG Описание: ~ 64 Мегабитная последовательная флэш-память ~ - Поддерживаемые режимы: Стандартный, Dual и Quad SPI - Максимальная частота : Стандарт: 120 Мбит / с Двойной: 2..
300 р
Заканчивается
0
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: KMRC10014M-B809 64Gb RAM 4Gb EMMC Samsung
reset - включена..
3 000 р
Новинка
Заканчивается
0
Заканчивается
0
Заканчивается
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Новинка
Заканчивается
0
в наличии
Код товара: THGAMRG7T13BAIL THGAMRG8T13BAIL BGA153 16G eMMC 5.1 версия
Technical Specifications Capacity: 16 GB (128 Gbit). Technology: NAND flash memory using BiCS3 (3D TLC) technology. Interface: JEDEC/MMCA Version 5.1. Package: 153-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array), measuring 11.5mm x 13mm. Performance: S..
1 200 р