Код товара: KLMBG2JETD-B041 микросхема флеш памяти 32 ГБ Samsung BGA153 eM
Предмет номер. KLMBG2JETD-B041 Версия EMMC 5.1 Плотность 16 ГИГАБАЙТ Напряжение 1,8 / 3,3 В Интерфейс HS400 Темп. От -40 до 85 Разъем BGA153 Размер 11,5 х 13 х 0,8 см CID 150100424A5444345203516B58E61827 (Samsung BJTD4R, SN 0x516B58E6 (1365989606), ..
Код товара: Микросхема памяти eMMC BGA KLMAG1JENB-B041 16Gbit
Memory для Samsung Sony и др. устройств LOG: CID 150100414A4E4234520D4D70ECE99347 (Samsung AJNB4R, SN 0x4D70ECE9 (1299246313), Сен 2016)CSD D02701320F5903FFF6DBFFEF8E40400DРевизия устройства [192] 0x08 (MMC v5.1)Тип устройства [196] 0x57 (SDR HS52,..
Код товара: Память NAND флэш K9GAG08UOE-scbo tsop48 16 гб
Напряжение питания - Устройство 3,3 В: 2,7 В ~ 3,6 В Организация - Массив ячеек памяти: (2076M x 110,49K) x 8 бит - Регистр данных: (8K + 436) x 8 бит Автоматическая программа и стирание - Программа страницы: (8K + 436) байт - Стирание блока: (..
Код товара: Микросхема памяти TC58BVG0S3HTA00 TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 1GBIT
Производитель Toshiba Серия Benand Тип памяти EEPROM - NAND Format - Memory EEPROMs - Serial Размер памяти 1G (128M x 8) Скорость 25ns Интерфейс Parallel Напряжение питания 2.7 V ~ 3.6 V Корпус 48-TFSOP (0.7..