FDS4501H, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 9.3 А, 30 В, 0.014 Ом, 10 В, 1.6 В

Технические параметры Максимальная Рабочая Температура 150 C Количество Выводов 8вывод(-ов) Стиль Корпуса Транзистора SOIC Рассеиваемая Мощность 1Вт Полярность Транзистора N и P Канал Напряжение Истока-стока Vds 30В Непрерывный Ток Стока 9.3А Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.014Ом Напряжение Измерения Rds(on) 10В Пороговое Напряжение Vgs 1.6В Максимальная рабочая температура +150 C Максимальный непрерывный ток стока 5,6 А, 9,3 А Тип корпуса SOIC Максимальное рассеяние мощности 2,5 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 3.9мм Высота 1.575мм Размеры 4.9 x 3.9 x 1.575мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 2 Длина 4.9мм Transistor Configuration Общий дренаж Типичное время задержки включения 15 нс Производитель ON Semiconductor Типичное время задержки выключения 38 нс, 40 нс Серия PowerTrench Минимальная рабочая температура -55 C Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V Максимальное сопротивление сток-исток 29 мОм, 80 мОм Максимальное напряжение сток-исток 20 V, 30 V Число контактов 8 Типичный заряд затвора при Vgs 13 nC @ 4.5 V, 17 nC @ 4.5 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 1312 пФ при 10 В, 1958 пФ при 10 В Тип канала N, P Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В Вес, г 0.23

Теги: FDS4501H, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 9.3 А, 30 В, 0.014 Ом, 10 В, 1.6 В, 0.01, AE, Микросхема